范围
本标准规定了无源器件的技术要求，供中国移动和厂商共同使用。适用于为中国移动通信有限公司室分系统所提供的各类功分器、耦合器、电桥、合路器、衰减器和负载研发、生产、出厂验收和入网测试的技术规定，其他同类产品也可遵照该规范的要求执行。
1. 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准。
2. 术语、定义和缩略语
下列术语、定义和缩略语适用于本标准。
2.1. 术语
插入损耗 Insertion loss：通过无源器件，在有效工作带宽内引入的传输损耗。
中心频率 Center frequency：无源器件的工作发射支路（或接收支路）允许工作频率范围内的中心称为发射支路（或接收支路）的中心频率。
驻波比 VSWR：无源器件或有源器件中，除信源的输入端（或输出端）以外的其他端口与标称阻抗负载相连接，信源的输入端（或输出端）电压的波峰和波谷的比值
带内波动（纹波）Inband Ripple：输出端口通带范围内最大信号和最小信号的差值。
标称阻抗 Impedance：RF 射频无源及有源器件在工作范围内各端口规定的电阻性阻抗。
耦合度 Coupling degree：耦合支路与通路信号强度的差值。
幅度平衡Amplitude Balance：等分定义端口之间的插入损耗的差值，用dB 表示。
抑制度 Suppression：合路器的收发支路之间信号进入的抑制程度。
最大输入功率 Maximum input power：无源器件正常工作时输入端口所允许的最大输入平均功率。
峰值输入功率Peak-peak input power：无源器件正常工作时发射端口所允许的最大峰值输入功率。
2.2. 定义
功分器（Power Distributer）：将功率平均分配到各个分路上去的无源器件,具有一个输入和两个或多个输出端口，用于分布系统链路分支时的节点连接。
耦合器(Coupler)：从射频通路中通过耦合将一部分信号取出的无源器件，是带有不同耦合衰减量值的分路器，用于分布系统延伸链路中接至覆盖天线输出节点的连接器件，该类器件的耦合度量值是由耦合出口接至天线辐射输出的额定覆盖功率电平所决定选择。
3dB电桥(3dB Hybrid)：3dB电桥也叫同频合路器，它能够沿传输线路某一确定方向上对传输功率连续取样，能将一个输入信号分为两个互为等幅且具有90°相位差的信号。主要用于多信号合路，提高输出信号的利用率，广泛应用室内覆盖系统中对基站信号的合路，在这种场所运用效果很好。
合路器（Combiner）：把两路或多路功率信号合并到单个通路上去的无源器件,具有两个或多个输入和一个输出端口。
衰减器（Attenuator）：具有不同的衰减量值无源器件，用于分布系统延伸链路尾端与天线辐射输出的额定覆盖功率电平的适配。
负载（Load）：用于分布系统延伸链路中的分支节点或检测点口的终接。
2.3. 缩略语
词语 解释
CW continuous wave 连续波
3. 技术要求
3.1 电气性能要求
3.1.1 腔体功分器
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带功分器已不能满足要求，近年来业界用腔体功分器取代微带功分器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的功分器全部定义为腔体功分器。
根据分布系统的节点支路的要求，又分为腔体二功分器、腔体三功分器和腔体四功分器，其指标要求如表1所示：
表1 腔体功分器常温电性能指标
腔体功分器常温电性能指标
指标\规格 二功分器 三功分器 四功分器
工作频段 800-2500MHz
总插入损耗（分配损耗+插入损耗）/dB ≤3.3 ≤5.2 ≤6.5
输入端口驻波比 ≤1.25 ≤1.25 ≤1.3
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.45 ≤0.55
输入口
反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上 三阶 ≤-140dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-155dBc(+43dBm×2)
单系统总功率36dBm以下
（N型头） 三阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+43dBm×2)
功率容量 单系统总功率36dBm及以上 均值
功率 ≥200W¹
（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段）
单系统总功率36dBm以下
（N型头） 均值
功率 ≥200W²
（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段）
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.2 腔体定向耦合器
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满足要求，近年来业界用腔体耦合器取代微带耦合器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的耦合器全部定义为腔体定向耦合器。
表2耦合器常温电性能指标
耦合器常温电性能指标
指标\耦合度规格 5dB 6dB 7dB 10dB 15dB 20dB 30dB 40dB
工作频段 800-2500MHz
总插入损耗（含分配损耗）/dB 2.15 1.76 1.47 0.96 0.44 0.34 0.3 0.3
隔离度 ≥23 ≥24 ≥25 ≥28 ≥33 ≥38 ≥48 ≥55
耦合度偏差/dB ±0.6 ±0.6 ±0.6 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1.5
驻波比 1.25
输入口反射
互调抑制 单系统总功率
36dBm及以上 三阶 ≤-140dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-155dBc(+43dBm×2)
单系统总功率
36dBm以下
（N型头） 三阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+43dBm×2)
功率容量 单系统总功率
36dBm及以上 均值
功率 ≥200W¹
（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段）
单系统总功率
36dBm以下
（N型头） 均值
功率 ≥200W²
（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段）
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.3 腔体3dB电桥
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满足要求，近年来业界用腔体电桥取代微带电桥的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的3dB电桥全部定义为腔体3dB电桥。
表3腔体3dB电桥常温电性能指标
腔体3dB电桥常温电性能指标
指标\规格 3dB电桥
工作频段 800-2500MHz
插入损耗（含分配损耗）/dB ≤3.5
驻波比 ≤1.3
隔离度/dB ≥23
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.5
反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上 三阶 ≤-140dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-155dBc(+43dBm×2)
单系统总功率36dBm以下（N型头） 三阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+43dBm×2)
功率容量 单系统总功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W¹
（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段）
单系统总功率36dBm以下（N型头） 均值功率 ≥200W²
（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段）
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.4 合路器
表4 合路器类型1-4
合路器常温电性能指标
指标\规格 GSM/DCS合路器
（双路） GSM/WLAN合路器
（双路） GSM&DCS/WLAN合路器
（双路） WLAN ch1/WLAN ch11合路器
工作频段 通路1:
889-954MHz
通路2:
1710-1830MHz 通路1:
889-954MHz
通路2:
2400-2483.5MHz 通路1:
889-954MHz 1710-1830MHz
通路2:
2400-2483.5MHz 通路1:
2401- 2423MHz
通路2:
2451-2473MHz
插入损耗/dB ≤0.6 ≤0.6 ≤0.6 ≤1.2
驻波比 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.8
带外抑制/dB 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥80
输入端口反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上 三阶 ≤-140dBc(+43dBm×2) 不作要求
五阶 ≤-155dBc(+43dBm×2)
单系统总功率36dBm以下（N型头） 三阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+43dBm×2)
功率容量 单系统总功率36dBm及以上 均值
功率 ≥200W¹
（4×50W EDGE载波，GSM900端口） 不作要求
单系统总功率36dBm以下（N型头） 均值
功率 ≥200W²
（1×200W EDGE载波，GSM900端口）
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
表5 合路器类型5-8
合路器常温电性能指标
指标\规格 GSM&DCS/TD F&TD A&TD E合路器
（双路） GSM/DCS/TD F&TD A&TD E合路器
（三路） GSM&DCS/TD F&TD A/TD E合路器
（三路） GSM&DCS&TD F&TD A&TD E/WLAN合路器
（双路）
工作频段 通路1:
889-954MHz
1710-1830MHz
通路2:
1880-2025MHz
2300～2400MHz 通路1:
889-954MHz
通路2:
1710-1830MHz
通道3:
1880-2025MHz
2300～2400MHz 通路1:
889-954MHz 1710-1830MHz
通道2:
1880-2025MHz
通路3:
2300-2400MHz 通路1:
889-954MHz 1710-2025MHz
2300-2380MHz
通路2:
2400-2500MHz
插入损耗/dB ≤0.6 ≤0.6 ≤0.8 ≤0.6（889-2025MHz）；
≤1.5（2300-2500MHz）
驻波比 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5（889-2025MHz） ； ≤1.2（2300-2500MHz）
带外抑制/dB 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥80 通路1:≥80
通路2:≥90（WLAN通路对其它频段的抑制值）
输入端口反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上 三阶 ≤-140dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-155dBc(+43dBm×2)
单系统总功率36dBm以下（N型头） 三阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+43dBm×2)
功率容量 单系统总功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W¹
（4×50W EDGE载波，GSM900端口）
单系统总功率36dBm以下（N型头） 均值功率 ≥200W²
（1×200W EDGE载波，GSM900端口）
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.5 衰减器
表6 50W、100W、200W衰减器¹
衰减器常温电性能指标
功率等级 50W、100W、200W
衰减度规格 3dB 6dB 10dB 15dB 20dB 30dB
工作频段 800-3000MHz
衰减度误差/dB ±0.4 ±0.4 ±0.6 ±0.6 ±0.8 ±0.8
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.5 ≤0.7 ≤0.8 ≤1.0 ≤1.0
驻波比 ≤1.2
输入口
反射互调抑制 三阶 ≤-105dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
功率容量 均值功率 50W、100W、200W²
（1×标称功率EDGE载波，GSM900频段）
注：
1、 此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下；
2、 此类器件功率容量测试，采用：
1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W
1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W
1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W
表7 5W、25W衰减器
衰减器常温电性能指标
功率等级 5W、25W
衰减度规格 3dB 6dB 10dB 15dB 20dB 30dB
工作频段 800-3000MHz
衰减度误差/dB ±0.4 ±0.4 ±0.6 ±0.6 ±0.8 ±0.8
带内波动(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.5 ≤0.7 ≤0.8 ≤1.0 ≤1.0
驻波比 1.2
反射互调 三阶 ≤-125dBc(+33dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+33dBm×2)
功率容量 均值功率 5W、25W¹
（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段）•
注：
1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：
1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W
1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W
3.1.6 负载
表8 50W、100W、200W负载¹
负载常温电性能指标
功率规格 50W、100W、200W
工作频段 800-3000MHz
特性阻抗/欧姆 50
驻波比 1.2
反射互调抑制 三阶 ≤-105dBc(+43dBm×2)
五阶 ≤-120dBc(+43dBm×2)
功率容量 均值功率 50W、100W、200W²
（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段）
注：
1、 此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下；
2、 此类器件功率容量测试，采用：
1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W
1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W
1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W
表9 负载 5W/25W
负载常温电性能指标
指标\功率规格 5W、25W
工作频段 800-3000MHz
特性阻抗/欧姆 50
驻波比 1.2
反射互调 三阶 ≤-125dBc(+33dBm×2)
五阶 ≤-145dBc(+33dBm×2)
功率容量 均值功率 5W、25W¹
（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段）
注：
1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：
1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W
1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W
3.2 平均故障间隔时间（MTBF）
室温条件下MTBF应大于10万小时。
3.3 机械要求
提供的产品应采用经过老化测试和严格筛选的优质器件。硬件的组装过程应有严格的质量控制，确保长期使用的高稳定性和高可靠性。
3.4 器件标签要求
器件外壳显著位置必须具有标签或铭牌，其上必须标明：厂家名称、产品类别、产品型号、生产日期、规格（含工作频段、耦合度、衰减器衰减值、单系统总功率36dBm及以上型/单系统总功率36dBm以下型）等。标签或铭牌须考虑长期使用可靠性，不得损坏或脱落。
单系统总功率36dBm及以上型器件，标签采用黑底白字，并标明“单系统总功率36dBm以上型”字样。
单系统总功率36dBm以下器件，标签采用白底黑字，并标明“单系统总功率36dBm以下型”字样。
负载和衰减器全部采用白底黑字标签。
合路器须在各输入口除了标识频段名称（如：GSM）之外，还需要标明该端口通带起止频率（如：889-954MHz）。
电桥须将IN和OUT口标识明显，安装、使用时不得损坏、脱落。
模板实例如下（条目齐全即可，格式不限）。
表10 标签实例
条目 举例
厂家名称 ×××
产品类别 耦合器
产品型号 ×××-×××
序列号 ××××××
生产日期 2011年×月
规格 800-2500MHz
30dB耦合
单系统总功率36dBm及以上型
3.5 工艺和材料要求
注：
1．合路器作为多系统信源合路的重要节点，除了对产品的性能指标有要求外，还对其长期可靠性和使用寿命有较高要求，因此各款合路器的工艺和材料要求均按高品质型统一要求。
2. 衰减器和负载由于目前行业水平未具备实现高品质型产品的批量生产能力，也无法提出对应的工艺和材料要求，因此3.5.3节仅按目前业界最优方案对普通型产品进行要求。
3.5.1 腔体功分器、腔体定向耦合器、腔体电桥
表11（单系统总功率36dBm以下型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求
产品 材料 表面处理 工艺要求 接头 其它
腔体功分器 腔体、内导体采用金属材质 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 表面光洁无毛刺 Female接头外导体不可采用铝材和锌合金；
内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 —
耦合器 内导体采用金属材质；
腔体与盖板不可采用削切钢材质（下图为削切钢材质，不可采用类似工艺设计）
内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 不可采用贴片电阻
腔体
电桥 内导体空气导带采用金属材质；
腔体、盖板采用金属材质。 内导体需做电镀处理 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧
表12（单系统总功率36dBm及以上型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求
产品 材料 表面处理 工艺要求 接头 其它
腔体功分器 内导体采用黄铜或铝合金；
腔体采用铝合金。 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 Female接头外导体采用黄铜，镀三元合金；
内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 —
耦合器 内导体采用黄铜或铝合金；
腔体采用铝合金；
盖板采用铝合金。 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 大功率厚膜陶瓷电阻
腔体电桥 内导体空气导带采用黄铜或铝合金；
腔体采用铝合金；
盖板采用铝合金。 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧
整体结构要求 1、 功分器、耦合器、电桥整体结构要求密闭性程度高，腔体整体无缝隙，内导体及腔体内表面不受空气氧化；
2、 接头法兰盘螺钉要求固定在腔体的同一结构件中（优选）¹
注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。
3.5.2 合路器
表13（单系统总功率36dBm以下型）合路器工艺材料要求
部件 材料 表面处理 工艺要求 备注
腔体 腔体采用铝合金 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 表面光洁无毛刺，无裂痕
盖板 盖板采用铝合金 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 表面光洁无毛刺，无裂痕
谐振柱 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（如进行温度补偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） 表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固
调谐杆 调谐杆采用黄铜 镀银 表面光洁无毛刺
端口抽头 连接导线采用黄铜 镀银 连接导线表面无光洁，整形弯曲规整，无乱搭
接头 如接头为Female形式：外导体采用黄铜（接头与合路器腔体一体化设计的情况除外）；
内导体采用铍青铜或磷青铜 外导体镀三元合金；
内导体镀银 外导体受力稳固，内导体受力不转动
表14（单系统总功率36dBm及以上型）合路器工艺材料要求
部件 材料 表面处理 工艺要求 备注
腔体 腔体采用铝合金 内表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，无裂痕
盖板 盖板采用铝合金 内表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，无裂痕
谐振柱 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（优选）（如进行温度补偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） 表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固，与盖板间距离＞1.0mm（优选）¹
调谐杆 调谐杆采用黄铜 镀银 表面光洁无毛刺，与其它结构件间距离＞3.0mm （优选）¹
端口抽头 连接导线采用黄铜 镀银 连接导线表面无光洁，整形弯曲规整，无乱搭，与腔体表面间距离＞1.5mm （优选）¹
接头 如接头为Female形式：外导体采用黄铜（接头与合路器腔体一体化设计的情况除外）；
内导体采用铍青铜或磷青铜 外导体镀三元合金；
内导体镀银 外导体受力稳固，内导体受力不转动
注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。
3.5.3 衰减器、负载
表15衰减器、负载工艺材料要求
部件 材料 表面处理 工艺要求 备注
散热器 铝合金 如带有散热器，则需进行表面防腐处理，建议导电氧化 表面光洁无毛刺，结构件连接稳固
内置安装管 铝合金 先镀铜后镀银 结构件连接稳固，接地良好
衰减片/吸收负载 氧化铍 – 结构件连接稳固，散热接地良好
接头 如接头为Female形式：外导体采用黄铜；
内导体采用铍青铜或磷青铜 外导体镀三元合金；
内导体镀银 外导体受力稳固，内导体受力不转动
3.5.4 简易检测方法（到货检测）
项目 检测方法
材料 1、通过对内导体进行用砂纸进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金；
2、PCB微带板和腔体的设计方案可直接通过观察判别。
微带电桥 腔体电桥
表面处理 1、铜材可以直接在表面进行镀银；
2、铝合金材质则需要先在表面进行镀铜后才可以镀银处理；
3、镀银表面呈银白色，镀铜表面呈黄色，不做任何电镀处理的为金属原色。
工艺要求 1、表面工艺明显毛刺点等可以通过观察判断，另可以选工艺优秀样品做为基准对比；
2、焊点光亮、整洁、无虚焊，无松香残留。
接头 1、接头外导体材质可以通过砂纸等进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金；
2、内导体插拔次数满足200次后，电气性能指标依然合格。
其它 1、 厚膜陶瓷电阻与贴片电阻有明显区别，可以肉眼判断。
贴片电阻 厚膜陶瓷电阻
3.6 环境试验要求
3.6.1 环境适应性要求
环境条件
工作温度：-20～55 ℃
工作湿度≤95％（温度40℃±2℃）
大气压力：70～106kPa
储存温度：-55℃ to +85℃
3.6.2 环境测试项
常温下的目检及电性能测试正常的器件，进行环境测试。不同的器件在环境实验时，进行不同电性能指标的测试，具体见下表：
表16 无源器件高低温试验检测项目
器件名称 高低温试验检测项目
在线测试 中间测试 恢复常温后测试
腔体功分器 插损、驻波比 互调 外观检查
腔体定向耦合器 插损、驻波比 互调 外观检查
腔体3dB电桥 插损、驻波比 互调 外观检查
合路器 插损、驻波比、带内波动、带外衰减 互调 外观检查
衰减器 衰减误差、驻波比 互调 外观检查
负载 驻波比 互调 外观检查
注：中间测试是指仅仅将单独器件进行环境试验，不连接测试系统，环境试验完成后快速将器件取出，连接测试系统进行测试。
表17 无源器件振动试验检测项目
器件名称 完成振动后测试项目
腔体功分器 外观检查、插损、驻波比、互调
腔体定向耦合器 外观检查、插损、驻波比、互调
腔体3dB电桥 外观检查、插损、驻波比、互调
合路器 外观检查、插损、驻波比、带内波动、带外衰减、互调
衰减器 外观检查、衰减误差、驻波比、互调
负载 外观检查、驻波比、互调
3.6.2.1 高温实验
试验条件：+55℃
测试要求：
1） 须符合3.1节中各器件电性能要求
2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，此外若出现脆化、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。）
3.6.2.2 低温实验
试验条件：-20℃
测试要求：
1） 须符合3.1节中各器件电性能要求
2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，此外若出现脆化、结冰、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。）
3.6.2.3 振动实验
试验温度：室温；
振动频率：10-30、30-55Hz；
扫频速率：系统默认；
振幅峰峰值：1.5mm、0.75mm；
振动方向：XYZ轴；
振动时间：XYZ轴每个方向0.5h。
测试要求：
1） 结束振动后，取出，检查器件表面和内部是否有配件掉落
2） 进行典型测试，须符合3.1节中各器件要求
3.6.2.4 恒定湿热（可选）
（按照实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告）
3.6.2.5 盐雾（可选）
（按照实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告）
4. 编制历史
版本号 更新时间 主要内容或重大修改
1.0.0 2011年9月5日 在10年采购规范及2007年行标的基础上修订出11年初稿。
针对互调和功率容量等指标进行了修订，对不同功率节点上使用的器件进行了分别的指标定义，并添加了工艺检测及环境测试等内容。
范围
本标准规定了无源器件的技术要求，供中国移动和厂商共同使用。适用于为中国移动通信有限公司室分系统所提供的各类功分器、耦合器、电桥、合路器、衰减器和负载研发、生产、出厂验收和入网测试的技术规定，其他同类产品也可遵照该规范的要求执行。
1. 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准。
2. 术语、定义和缩略语
下列术语、定义和缩略语适用于本标准。
2.1. 术语
插入损耗 Insertion loss：通过无源器件，在有效工作带宽内引入的传输损耗。
中心频率 Center frequency：无源器件的工作发射支路（或接收支路）允许工作频率范围内的中心称为发射支路（或接收支路）的中心频率。
驻波比 VSWR：无源器件或有源器件中，除信源的输入端（或输出端）以外的其他端口与标称阻抗负载相连接，信源的输入端（或输出端）电压的波峰和波谷的比值
带内波动（纹波）Inband Ripple：输出端口通带范围内最大信号和最小信号的差值。
标称阻抗 Impedance：RF 射频无源及有源器件在工作范围内各端口规定的电阻性阻抗。
耦合度 Coupling degree：耦合支路与通路信号强度的差值。
幅度平衡Amplitude Balance：等分定义端口之间的插入损耗的差值，用dB 表示。
抑制度 Suppression：合路器的收发支路之间信号进入的抑制程度。
最大输入功率 Maximum input power：无源器件正常工作时输入端口所允许的最大输入平均功率。
峰值输入功率Peak-peak input power：无源器件正常工作时发射端口所允许的最大峰值输入功率。
2.2. 定义
功分器（Power Distributer）：将功率平均分配到各个分路上去的无源器件,具有一个输入和两个或多个输出端口，用于分布系统链路分支时的节点连接。
耦合器(Coupler)：从射频通路中通过耦合将一部分信号取出的无源器件，是带有不同耦合衰减量值的分路器，用于分布系统延伸链路中接至覆盖天线输出节点的连接器件，该类器件的耦合度量值是由耦合出口接至天线辐射输出的额定覆盖功率电平所决定选择。
3dB电桥(3dB Hybrid)：3dB电桥也叫同频合路器，它能够沿传输线路某一确定方向上对传输功率连续取样，能将一个输入信号分为两个互为等幅且具有90°相位差的信号。主要用于多信号合路，提高输出信号的利用率，广泛应用室内覆盖系统中对基站信号的合路，在这种场所运用效果很好。
合路器（Combiner）：把两路或多路功率信号合并到单个通路上去的无源器件,具有两个或多个输入和一个输出端口。
衰减器（Attenuator）：具有不同的衰减量值无源器件，用于分布系统延伸链路尾端与天线辐射输出的额定覆盖功率电平的适配。
负载（Load）：用于分布系统延伸链路中的分支节点或检测点口的终接。
2.3. 缩略语
词语 解释
CW continuous wave 连续波
3. 技术要求
3.1电气性能要求
3.1.1腔体功分器
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带功分器已不能满足要求，近年来业界用腔体功分器取代微带功分器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的功分器全部定义为腔体功分器。
根据分布系统的节点支路的要求，又分为腔体二功分器、腔体三功分器和腔体四功分器，其指标要求如表1所示：
表1 腔体功分器常温电性能指标
| 腔体功分器常温电性能指标 | |||||
| 指标\规格 | 二功分器 | 三功分器 | 四功分器 | ||
| 工作频段 | 800-2500MHz | ||||
| 总插入损耗（分配损耗+插入损耗）/dB | ≤3.3 | ≤5.2 | ≤6.5 | ||
| 输入端口驻波比 | ≤1.25 | ≤1.25 | ≤1.3 | ||
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.3 | ≤0.45 | ≤0.55 | ||
| 输入口反射互调抑制 | 单系统总功率36dBm及以上 | 三阶 | ≤-140dBc(+43dBm×2) | ||
| 五阶 | ≤-155dBc(+43dBm×2) | ||||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 三阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | |||
| 五阶 | ≤-145dBc(+43dBm×2) | ||||
| 功率容量 | 单系统总功率36dBm及以上 | 均值功率 | ≥200W¹（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） | ||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 均值功率 | ≥200W²（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段） | |||
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.2腔体定向耦合器
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满足要求，近年来业界用腔体耦合器取代微带耦合器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的耦合器全部定义为腔体定向耦合器。
表2耦合器常温电性能指标
| 耦合器常温电性能指标 | |||||||||||||
| 指标\耦合度规格 | 5dB | 6dB | 7dB | 10dB | 15dB | 20dB | 30dB | 40dB | |||||
| 工作频段 | 800-2500MHz | ||||||||||||
| 总插入损耗（含分配损耗）/dB | 2.15 | 1.76 | 1.47 | 0.96 | 0.44 | 0.34 | 0.3 | 0.3 | |||||
| 隔离度 | ≥23 | ≥24 | ≥25 | ≥28 | ≥33 | ≥38 | ≥48 | ≥55 | |||||
| 耦合度偏差/dB | ±0.6 | ±0.6 | ±0.6 | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 | ±1.5 | |||||
| 驻波比 | 1.25 | ||||||||||||
| 输入口反射互调抑制 | 单系统总功率36dBm及以上 | 三阶 | ≤-140dBc(+43dBm×2) | ||||||||||
| 五阶 | ≤-155dBc(+43dBm×2) | ||||||||||||
| 单系统总功率36dBm以下
（N型头） |
三阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | |||||||||||
| 五阶 | ≤-145dBc(+43dBm×2) | ||||||||||||
| 功率容量 | 单系统总功率36dBm及以上 | 均值功率 | ≥200W¹（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） | ||||||||||
| 单系统总功率36dBm以下
（N型头） |
均值功率 | ≥200W²（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段） | |||||||||||
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.3腔体3dB电桥
随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满足要求，近年来业界用腔体电桥取代微带电桥的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的3dB电桥全部定义为腔体3dB电桥。
表3腔体3dB电桥常温电性能指标
| 腔体3dB电桥常温电性能指标 | |||
| 指标\规格 | 3dB电桥 | ||
| 工作频段 | 800-2500MHz | ||
| 插入损耗（含分配损耗）/dB | ≤3.5 | ||
| 驻波比 | ≤1.3 | ||
| 隔离度/dB | ≥23 | ||
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.5 | ||
| 反射互调抑制 | 单系统总功率36dBm及以上 | 三阶 | ≤-140dBc(+43dBm×2) |
| 五阶 | ≤-155dBc(+43dBm×2) | ||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 三阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | |
| 五阶 | ≤-145dBc(+43dBm×2) | ||
| 功率容量 | 单系统总功率36dBm及以上 | 均值功率 | ≥200W¹（4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） |
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 均值功率 | ≥200W²（1×200W EDGE载波，GSM900下行频段） | |
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.4合路器
表4 合路器类型1-4
| 合路器常温电性能指标 | |||||||
| 指标\规格 | GSM/DCS合路器（双路） | GSM/WLAN合路器（双路） | GSM&DCS/WLAN合路器（双路） | WLAN ch1/WLAN ch11合路器 | |||
| 工作频段 | 通路1:889-954MHz 通路2:
1710-1830MHz |
通路1:889-954MHz 通路2:
2400-2483.5MHz |
通路1:889-954MHz 1710-1830MHz 通路2:
2400-2483.5MHz |
通路1:2401- 2423MHz 通路2:
2451-2473MHz |
|||
| 插入损耗/dB | ≤0.6 | ≤0.6 | ≤0.6 | ≤1.2 | |||
| 驻波比 | ≤1.3 | ≤1.3 | ≤1.3 | ≤1.3 | |||
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.8 | |||
| 带外抑制/dB | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥80 | |||
| 输入端口反射互调抑制 | 单系统总功率36dBm及以上 | 三阶 | ≤-140dBc(+43dBm×2) | 不作要求 | |||
| 五阶 | ≤-155dBc(+43dBm×2) | ||||||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 三阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | |||||
| 五阶 | ≤-145dBc(+43dBm×2) | ||||||
| 功率容量 | 单系统总功率36dBm及以上 | 均值功率 | ≥200W¹（4×50W EDGE载波，GSM900端口） | 不作要求 | |||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 均值功率 | ≥200W²（1×200W EDGE载波，GSM900端口） | |||||
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
表5 合路器类型5-8
| 合路器常温电性能指标 | ||||||
| 指标\规格 | GSM&DCS/TD F&TD A&TD E合路器（双路） | GSM/DCS/TD F&TD A&TD E合路器（三路） | GSM&DCS/TD F&TD A/TD E合路器（三路） | GSM&DCS&TD F&TD A&TD E/WLAN合路器（双路） | ||
| 工作频段 | 通路1:889-954MHz
1710-1830MHz 通路2: 1880-2025MHz 2300～2400MHz |
通路1:889-954MHz 通路2:
1710-1830MHz 通道3: 1880-2025MHz 2300～2400MHz |
通路1:889-954MHz 1710-1830MHz
通道2: 1880-2025MHz 通路3: 2300-2400MHz |
通路1:889-954MHz 1710-2025MHz
2300-2380MHz 通路2: 2400-2500MHz |
||
| 插入损耗/dB | ≤0.6 | ≤0.6 | ≤0.8 | ≤0.6（889-2025MHz）；≤1.5（2300-2500MHz） | ||
| 驻波比 | ≤1.3 | ≤1.3 | ≤1.3 | ≤1.3 | ||
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5（889-2025MHz） ； ≤1.2（2300-2500MHz） | ||
| 带外抑制/dB | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥80 | 通路1:≥80 通路2:≥90（WLAN通路对其它频段的抑制值） | ||
| 输入端口反射互调抑制 | 单系统总功率36dBm及以上 | 三阶 | ≤-140dBc(+43dBm×2) | |||
| 五阶 | ≤-155dBc(+43dBm×2) | |||||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 三阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | ||||
| 五阶 | ≤-145dBc(+43dBm×2) | |||||
| 功率容量 | 单系统总功率36dBm及以上 | 均值功率 | ≥200W¹（4×50W EDGE载波，GSM900端口） | |||
| 单系统总功率36dBm以下（N型头） | 均值功率 | ≥200W²（1×200W EDGE载波，GSM900端口） | ||||
注：
1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW；
2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。
3.1.5衰减器
表6 50W、100W、200W衰减器¹
| 衰减器常温电性能指标 | |||||||
| 功率等级 | 50W、100W、200W | ||||||
| 衰减度规格 | 3dB | 6dB | 10dB | 15dB | 20dB | 30dB | |
| 工作频段 | 800-3000MHz | ||||||
| 衰减度误差/dB | ±0.4 | ±0.4 | ±0.6 | ±0.6 | ±0.8 | ±0.8 | |
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.3 | ≤0.5 | ≤0.7 | ≤0.8 | ≤1.0 | ≤1.0 | |
| 驻波比 | ≤1.2 | ||||||
| 输入口反射互调抑制 | 三阶 | ≤-105dBc(+43dBm×2) | |||||
| 五阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | ||||||
| 功率容量 | 均值功率 | 50W、100W、200W²（1×标称功率EDGE载波，GSM900频段） | |||||
注：
1、此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下；
2、此类器件功率容量测试，采用：
1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W
1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W
1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W
表7 5W、25W衰减器
| 衰减器常温电性能指标 | |||||||
| 功率等级 | 5W、25W | ||||||
| 衰减度规格 | 3dB | 6dB | 10dB | 15dB | 20dB | 30dB | |
| 工作频段 | 800-3000MHz | ||||||
| 衰减度误差/dB | ±0.4 | ±0.4 | ±0.6 | ±0.6 | ±0.8 | ±0.8 | |
| 带内波动(峰峰值)/dB | ≤0.3 | ≤0.5 | ≤0.7 | ≤0.8 | ≤1.0 | ≤1.0 | |
| 驻波比 | 1.2 | ||||||
| 反射互调 | 三阶 | ≤-125dBc(+33dBm×2) | |||||
| 五阶 | ≤-145dBc(+33dBm×2) | ||||||
| 功率容量 | 均值功率 | 5W、25W¹（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段）· | |||||
注：
1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：
1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W
1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W
3.1.6负载
表8 50W、100W、200W负载¹
| 负载常温电性能指标 | ||
| 功率规格 | 50W、100W、200W | |
| 工作频段 | 800-3000MHz | |
| 特性阻抗/欧姆 | 50 | |
| 驻波比 | 1.2 | |
| 反射互调抑制 | 三阶 | ≤-105dBc(+43dBm×2) |
| 五阶 | ≤-120dBc(+43dBm×2) | |
| 功率容量 | 均值功率 | 50W、100W、200W²（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段） |
注：
1、此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下；
2、此类器件功率容量测试，采用：
1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W
1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W
1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W
表9 负载 5W/25W
| 负载常温电性能指标 | ||
| 指标\功率规格 | 5W、25W | |
| 工作频段 | 800-3000MHz | |
| 特性阻抗/欧姆 | 50 | |
| 驻波比 | 1.2 | |
| 反射互调 | 三阶 | ≤-125dBc(+33dBm×2) |
| 五阶 | ≤-145dBc(+33dBm×2) | |
| 功率容量 | 均值功率 | 5W、25W¹（1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段） |
注：
1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：
1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W
1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W
3.2平均故障间隔时间（MTBF）
室温条件下MTBF应大于10万小时。
3.3 机械要求
提供的产品应采用经过老化测试和严格筛选的优质器件。硬件的组装过程应有严格的质量控制，确保长期使用的高稳定性和高可靠性。
3.4 器件标签要求
器件外壳显著位置必须具有标签或铭牌，其上必须标明：厂家名称、产品类别、产品型号、生产日期、规格（含工作频段、耦合度、衰减器衰减值、单系统总功率36dBm及以上型/单系统总功率36dBm以下型）等。标签或铭牌须考虑长期使用可靠性，不得损坏或脱落。
单系统总功率36dBm及以上型器件，标签采用黑底白字，并标明“单系统总功率36dBm以上型”字样。
单系统总功率36dBm以下器件，标签采用白底黑字，并标明“单系统总功率36dBm以下型”字样。
负载和衰减器全部采用白底黑字标签。
合路器须在各输入口除了标识频段名称（如：GSM）之外，还需要标明该端口通带起止频率（如：889-954MHz）。
电桥须将IN和OUT口标识明显，安装、使用时不得损坏、脱落。
模板实例如下（条目齐全即可，格式不限）。
表10 标签实例
| 条目 | 举例 |
| 厂家名称 | ××× |
| 产品类别 | 耦合器 |
| 产品型号 | ×××-××× |
| 序列号 | ×××××× |
| 生产日期 | 2011年×月 |
| 规格 | 800-2500MHz30dB耦合
单系统总功率36dBm及以上型 |
3.5工艺和材料要求
注：
1．合路器作为多系统信源合路的重要节点，除了对产品的性能指标有要求外，还对其长期可靠性和使用寿命有较高要求，因此各款合路器的工艺和材料要求均按高品质型统一要求。
2. 衰减器和负载由于目前行业水平未具备实现高品质型产品的批量生产能力，也无法提出对应的工艺和材料要求，因此3.5.3节仅按目前业界最优方案对普通型产品进行要求。
3.5.1 腔体功分器、腔体定向耦合器、腔体电桥
表11（单系统总功率36dBm以下型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求
| 产品 | 材料 | 表面处理 | 工艺要求 | 接头 | 其它 |
| 腔体功分器 | 腔体、内导体采用金属材质 | 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） | 表面光洁无毛刺 | Female接头外导体不可采用铝材和锌合金；内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 | — |
| 耦合器 | 内导体采用金属材质；腔体与盖板不可采用削切钢材质（下图为削切钢材质，不可采用类似工艺设计） | 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） | 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 | 不可采用贴片电阻 | |
| 腔体电桥 | 内导体空气导带采用金属材质；腔体、盖板采用金属材质。 | 内导体需做电镀处理 | 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 | 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧 |
表12（单系统总功率36dBm及以上型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求
| 产品 | 材料 | 表面处理 | 工艺要求 | 接头 | 其它 |
| 腔体功分器 | 内导体采用黄铜或铝合金；腔体采用铝合金。 | 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 | Female接头外导体采用黄铜，镀三元合金；内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 | — |
| 耦合器 | 内导体采用黄铜或铝合金；腔体采用铝合金；
盖板采用铝合金。 |
内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 | 大功率厚膜陶瓷电阻 | |
| 腔体电桥 | 内导体空气导带采用黄铜或铝合金；腔体采用铝合金；
盖板采用铝合金。 |
内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 | 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧 | |
| 整体结构要求 | 1、功分器、耦合器、电桥整体结构要求密闭性程度高，腔体整体无缝隙，内导体及腔体内表面不受空气氧化；2、接头法兰盘螺钉要求固定在腔体的同一结构件中（优选）¹ | ||||
注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。
3.5.2 合路器
表13（单系统总功率36dBm以下型）合路器工艺材料要求
| 部件 | 材料 | 表面处理 | 工艺要求 | 备注 |
| 腔体 | 腔体采用铝合金 | 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） | 表面光洁无毛刺，无裂痕 | |
| 盖板 | 盖板采用铝合金 | 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） | 表面光洁无毛刺，无裂痕 | |
| 谐振柱 | 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（如进行温度补偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） | 表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固 | |
| 调谐杆 | 调谐杆采用黄铜 | 镀银 | 表面光洁无毛刺 | |
| 端口抽头 | 连接导线采用黄铜 | 镀银 | 连接导线表面无光洁，整形弯曲规整，无乱搭 | |
| 接头 | 如接头为Female形式：外导体采用黄铜（接头与合路器腔体一体化设计的情况除外）；内导体采用铍青铜或磷青铜 | 外导体镀三元合金；内导体镀银 | 外导体受力稳固，内导体受力不转动 |
表14（单系统总功率36dBm及以上型）合路器工艺材料要求
| 部件 | 材料 | 表面处理 | 工艺要求 | 备注 |
| 腔体 | 腔体采用铝合金 | 内表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，无裂痕 | |
| 盖板 | 盖板采用铝合金 | 内表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，无裂痕 | |
| 谐振柱 | 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（优选）（如进行温度补偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） | 表面先镀铜后镀银 | 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固，与盖板间距离＞1.0mm（优选）¹ | |
| 调谐杆 | 调谐杆采用黄铜 | 镀银 | 表面光洁无毛刺，与其它结构件间距离＞3.0mm （优选）¹ | |
| 端口抽头 | 连接导线采用黄铜 | 镀银 | 连接导线表面无光洁，整形弯曲规整，无乱搭，与腔体表面间距离＞1.5mm （优选）¹ | |
| 接头 | 如接头为Female形式：外导体采用黄铜（接头与合路器腔体一体化设计的情况除外）；内导体采用铍青铜或磷青铜 | 外导体镀三元合金；内导体镀银 | 外导体受力稳固，内导体受力不转动 |
注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。
3.5.3 衰减器、负载
表15衰减器、负载工艺材料要求
| 部件 | 材料 | 表面处理 | 工艺要求 | 备注 |
| 散热器 | 铝合金 | 如带有散热器，则需进行表面防腐处理，建议导电氧化 | 表面光洁无毛刺，结构件连接稳固 | |
| 内置安装管 | 铝合金 | 先镀铜后镀银 | 结构件连接稳固，接地良好 | |
| 衰减片/吸收负载 | 氧化铍 | – | 结构件连接稳固，散热接地良好 | |
| 接头 | 如接头为Female形式：外导体采用黄铜；内导体采用铍青铜或磷青铜 | 外导体镀三元合金；内导体镀银 | 外导体受力稳固，内导体受力不转动 |
3.5.4 简易检测方法（到货检测）
| 项目 | 检测方法 |
| 材料 | 1、通过对内导体进行用砂纸进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金；2、PCB微带板和腔体的设计方案可直接通过观察判别。
微带电桥 腔体电桥 |
| 表面处理 | 1、铜材可以直接在表面进行镀银；2、铝合金材质则需要先在表面进行镀铜后才可以镀银处理；
3、镀银表面呈银白色，镀铜表面呈黄色，不做任何电镀处理的为金属原色。 |
| 工艺要求 | 1、表面工艺明显毛刺点等可以通过观察判断，另可以选工艺优秀样品做为基准对比；2、焊点光亮、整洁、无虚焊，无松香残留。 |
| 接头 | 1、接头外导体材质可以通过砂纸等进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金；2、内导体插拔次数满足200次后，电气性能指标依然合格。 |
| 其它 | 1、厚膜陶瓷电阻与贴片电阻有明显区别，可以肉眼判断。贴片电阻 厚膜陶瓷电阻 |
3.6 环境试验要求
3.6.1环境适应性要求
环境条件
工作温度：-20～55 ℃
工作湿度≤95％（温度40℃±2℃）
大气压力：70～106kPa
储存温度：-55℃ to +85℃
3.6.2环境测试项
常温下的目检及电性能测试正常的器件，进行环境测试。不同的器件在环境实验时，进行不同电性能指标的测试，具体见下表：
表16 无源器件高低温试验检测项目
| 器件名称 | 高低温试验检测项目 | ||
| 在线测试 | 中间测试 | 恢复常温后测试 | |
| 腔体功分器 | 插损、驻波比 | 互调 | 外观检查 |
| 腔体定向耦合器 | 插损、驻波比 | 互调 | 外观检查 |
| 腔体3dB电桥 | 插损、驻波比 | 互调 | 外观检查 |
| 合路器 | 插损、驻波比、带内波动、带外衰减 | 互调 | 外观检查 |
| 衰减器 | 衰减误差、驻波比 | 互调 | 外观检查 |
| 负载 | 驻波比 | 互调 | 外观检查 |
注：中间测试是指仅仅将单独器件进行环境试验，不连接测试系统，环境试验完成后快速将器件取出，连接测试系统进行测试。
表17 无源器件振动试验检测项目
| 器件名称 | 完成振动后测试项目 |
| 腔体功分器 | 外观检查、插损、驻波比、互调 |
| 腔体定向耦合器 | 外观检查、插损、驻波比、互调 |
| 腔体3dB电桥 | 外观检查、插损、驻波比、互调 |
| 合路器 | 外观检查、插损、驻波比、带内波动、带外衰减、互调 |
| 衰减器 | 外观检查、衰减误差、驻波比、互调 |
| 负载 | 外观检查、驻波比、互调 |
3.6.2.1 高温实验
试验条件：+55℃
测试要求：
1）须符合3.1节中各器件电性能要求
2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，此外若出现脆化、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。）
3.6.2.2 低温实验
试验条件：-20℃
测试要求：
1）须符合3.1节中各器件电性能要求
2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，此外若出现脆化、结冰、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。）
3.6.2.3 振动实验
试验温度：室温；
振动频率：10-30、30-55Hz；
扫频速率：系统默认；
振幅峰峰值：1.5mm、0.75mm；
振动方向：XYZ轴；
振动时间：XYZ轴每个方向0.5h。
测试要求：
1）结束振动后，取出，检查器件表面和内部是否有配件掉落
2）进行典型测试，须符合3.1节中各器件要求
3.6.2.4 恒定湿热（可选）
（按照实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告）
3.6.2.5 盐雾（可选）
（按照实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告）
4. 编制历史
| 版本号 | 更新时间 | 主要内容或重大修改 |
| 1.0.0 | 2011年9月5日 | 在10年采购规范及2007年行标的基础上修订出11年初稿。针对互调和功率容量等指标进行了修订，对不同功率节点上使用的器件进行了分别的指标定义，并添加了工艺检测及环境测试等内容。 |
附录 无源器件指标分级标准
| 指标名称 | 设备分类 | |||||
| 腔体功分器 | 耦合器 | 3dB电桥 | 合路器 | 衰减器 | 负载 | |
| 插损 | A | A | A | A | / | / |
| 驻波比 | A | A | A | A | A | A |
| 带内波动 | B | / | B | B | B | / |
| 耦合度偏差 | / | A | / | / | / | / |
| 隔离度 | / | A | A | / | / | / |
| 带外抑制 | / | / | / | A | / | / |
| 衰减度误差 | / | / | / | / | B | / |
| 三阶互调 | A | A | A | A | A | A |
| 五阶互调 | A | A | A | A | A | A |
| 功率容量 | A | A | A | A | A | A |
| 高温测试 | B | B | B | B | B | B |
| 低温测试 | B | B | B | B | B | B |
| 振动测试 | B | B | B | B | B | B |
| 设备合格判定标准建议 | ||||||
| A: 关键指标 | 有一个A类指标不通过，判定为不合格 | |||||
| B：重要指标 | 有两个B类指标不通过，判定为不合格 | |||||
设备合格判定标准建议
A: 关键指标 有一个A类指标不通过，判定为不合格
B：重要指标 有两个B类指标不通过，判定为不合格
